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J-GLOBAL ID：200903042981084802

レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

Inventor：
三村 岳由

About 三村 岳由

, 
川上 晃也

About 川上 晃也

, 
松宮 祐

About 松宮 祐


Applicant, Patent owner：
東京応化工業株式会社

About 東京応化工業株式会社


Agent (5)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006207891
Publication number (International publication number)：2008033102
Application date： Jul. 31, 2006
Publication date： Feb. 14, 2008
Summary：
【課題】新規なレジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する基材成分(A)および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物であって、前記(A)が、フラーレンC60のフラーレン骨格上にフェノール性水酸基で表される部分構造を有するフラーレン誘導体(A1-1)、または酸不安定性基で表される部分構造を有するフラーレン誘導体(A1-2)を含有する。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する基材成分(A)および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物であって、 前記基材成分(A)が、フラーレンC60のフラーレン骨格上に下記一般式(A1-1)で表される部分構造を有するフラーレン誘導体(A1-1)、および/またはフラーレンC60のフラーレン骨格上に下記一般式(A1-2)で表される部分構造を有するフラーレン誘導体(A1-2)を含有することを特徴とするレジスト組成物。
IPC (3)：
G03F 7/039 ,  G03F 7/038 ,  H01L 21/027
FI (3)：
G03F7/039 601 ,  G03F7/038 601 ,  H01L21/30 502R
F-Term (15)：
2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB28 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CB55 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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