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J-GLOBAL ID：200903043023157116

配線形成方法

Inventor： 岸井 貞浩 ,  原田 秀樹 ,  佐藤 幸博 ,  井上 憲一 ,  柄沢 章孝 ,  大倉 嘉之 ,  伊藤 昭男 ,  中村 亘 ,  大石 明良
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995065785
Publication number (International publication number)：1996264534
Application date： Mar. 24, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】 研磨により絶縁層に埋込み配線を形成する方法に関し、平坦かつ金属汚染の少ない配線を形成する。【構成】 凹凸のある基板1上にSOGを絶縁層3として形成し,絶縁層3表面に形成された窪み5を埋めて金属層4を堆積し,絶縁層3をストッパとする研磨により金属層4を選択的に除去して窪み5内に埋込み配線を形成し,次いで,絶縁層3を選択的に研磨して絶縁層3上面を平坦にする。

Claim (excerpt)：

基板上に設けられた絶縁層に配線を画定する窪みを形成する工程と,該絶縁層上に該窪みを埋込み金属層を堆積する工程と,該金属層の該窪みに埋め込まれた部分を該配線として残し,該絶縁層上に堆積された該金属層を除去する研磨工程とを有する配線形成方法において,該絶縁層は,スピン塗布ガラス(SOG)層を含み,該研磨工程は,該絶縁層をストッパとし該金属層を選択的に除去して,該絶縁層上面を表出する金属研磨工程と,次いで,該絶縁層を選択的に研磨して該絶縁層上面を平坦に研磨する平坦化研磨工程とを有することを特徴とする配線形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/3205 ,  H01L 23/04 ,  H01L 23/14 ,  H05K 3/10

FI (5)：

H01L 21/88 K ,  H01L 23/04 E ,  H05K 3/10 E ,  H01L 21/88 Z ,  H01L 23/14 M

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体装置の研磨方法及び研磨装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-287278   Applicant：株式会社リコー

Cited by examiner (1)

• 半導体装置の研磨方法及び研磨装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-287278   Applicant：株式会社リコー