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J-GLOBAL ID：200903043111015852

半導体装置

Inventor： 松浦 健志
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992010561
Publication number (International publication number)：1993206307
Application date： Jan. 24, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】 蓋の取着部分及びその近傍で、破損や亀裂等が発生する虞がない半導体装置を提供する。【構成】 基台11に搭載した半導体チップ15を気密に封止する蓋19が、基台11に取着される部分の近傍に柔構造部21を設けて構成されているため、製造時や実装時あるいは稼働時に発生する周囲の温度上昇や自己発熱による温度上昇等に起因して蓋19と基台11との間に熱膨張差が生じるが、柔構造部21での変位の吸収により蓋19の基台11への取着部分やその近傍に応力の集中がなくなる。これによって取着部分及びその近傍で、破損や亀裂等が発生する虞がなくなり気密状態が保持できるようになって、歩留や信頼性が向上する。

Claim (excerpt)：

基台上に搭載した半導体チップを、前記基台と熱膨張係数の異なる材料で形成された蓋を前記基台に気密に取着することによって封止するようにした半導体装置において、前記蓋は前記基台に取着する部分の近傍に柔構造部が設けられていることを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

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  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-203134   Applicant：松下電工株式会社