半導体不揮発性記憶装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997146587
Publication number (International publication number)：1998335497
Application date： Jun. 04, 1997
Publication date： Dec. 18, 1998
Summary：

【要約】【課題】コントロールゲートとフローティングゲートのカップリング比を大きくとることにより、さらに装置の高集積化、微細化をすることができる半導体不揮発性記憶装置を提供する。【解決手段】半導体基板10のチャネル形成領域の少なくとも一方側に形成された素子分離絶縁膜22aと、前記チャネル形成領域上に形成されたゲート絶縁膜23と、ゲート絶縁膜23上に形成された凹型の形状を有するフローティングゲート30aと、フローティングゲート30a上に形成された中間絶縁膜25と、中間絶縁膜25上に形成されたコントロールゲート31とを有する構成とする。

Claim (excerpt)：

フローティングゲートに電荷を蓄積する半導体不揮発性記憶装置であって、半導体基板のチャネル形成領域の少なくとも一方側に形成された素子分離絶縁膜と、前記チャネル形成領域上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された凹型の形状を有するフローティングゲートと、前記フローティングゲート上に形成された中間絶縁膜と、前記中間絶縁膜上に形成されたコントロールゲートとを有する半導体不揮発性記憶装置。

IPC (4)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平3-220778
半導体不揮発性メモリ装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-094589 Applicant：沖電気工業株式会社
特開平3-220778

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