光半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤本博光
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993181039
Publication number (International publication number)：1995038151
Application date： Jul. 22, 1993
Publication date： Feb. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】反射層に対し斜め方向に入射する光を高い反射率で反射する単純な構成の半導体反射層を備えて、外部出射効率もしくは電流利用効率の高効率化を図った半導体発光素子を提供する。【構成】半導体基板10と、pn接合発光部16からの光を伝える入射側媒質であるクラッド層15との間に、クラッド層15より低い屈折率を有し、層厚が0.25μm以上である半導体反射層14を設ける。また、クラッド層17と表面電極25との間に同様な半導体反射層18を設けても良い。

Claim (excerpt)：

少なくとも光を情報またはエネルギーとして取り扱う光半導体装置において、光入射層が有する第1の屈折率より低い第2の屈折率を有し、層厚が0.25μm以上である半導体反射層を有することを特徴とする光半導体装置。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

面発光型発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-140025 Applicant：大同特殊鋼株式会社
特開平4-246879
特開平4-372188

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