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J-GLOBAL ID：200903043291479061

半導体モジュールの温度検出装置

Inventor： 福田 豊 ,  伊藤 誠 ,  八木 賢次 ,  三浦 昭二
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー
Agent (1)： 伊藤 洋二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999311448
Publication number (International publication number)：2001133330
Application date： Nov. 01, 1999
Publication date： May. 18, 2001
Summary：

【要約】【課題】 複数のIGBT素子からなる半導体モジュールの温度を検出する場合の、検出温度の誤差を少なくする。【解決手段】 IGBT素子11、21、31のそれぞれに温度検出用ダイオード12、22、32を設け、それらのダイオード12、22、32を並列接続して定電流源40から定電流を供給し、温度検出回路50にて半導体モジュールの温度を検出するように構成したものであって、温度検出用ダイオード12、22、32に、抵抗13、23、33をそれぞれ直列に接続した。

Claim (excerpt)：

複数の素子(11、21、31)からなる半導体モジュールと、各素子に設けられ互いに並列に接続された温度検出素子(12と13、22と23、32と33)と、前記並列接続された温度検出素子の出力電圧に基づいて前記半導体モジュールの温度検出を行う温度検出回路(50)とを備えた半導体モジュールの温度検出装置において、前記温度検出素子のぞれぞれは、ダイオード(12)を形成するPN接合したP型領域(121a)およびN型領域(122a)と、前記P型領域および前記N型領域のうちの一方の領域から延びて形成された抵抗領域(131)とを有し、前記ダイオードと前記抵抗領域による抵抗(13)とが電気的に直列接続された構成になっており、前記抵抗領域の抵抗値は、前記P型領域および前記N型領域による抵抗値よりも大きくなっていることを特徴とする半導体モジュールの温度検出装置。

IPC (4)：

G01K 7/01 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/861

FI (3)：

G01K 7/00 391 C ,  H01L 27/04 H ,  H01L 29/91 E

F-Term (12)：

2F056JT06 ,  2F056JT08 ,  5F038AR09 ,  5F038AZ08 ,  5F038AZ10 ,  5F038BB02 ,  5F038BH02 ,  5F038BH04 ,  5F038BH16 ,  5F038CA02 ,  5F038DF01 ,  5F038EZ20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 半導体モジュールの温度検出装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-198199   Applicant：トヨタ自動車株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-312033   Applicant：株式会社デンソー
• 特開昭62-071827