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J-GLOBAL ID：200903043298056204

近最終製品形状の切削加工に好ましいA1▲下2▼O▲下3▼被膜切削工具

Inventor： ルユングベルグ,ビヨルン
Applicant, Patent owner： サンドビック アクティエボラーグ
Agent (1)： 石田 敬 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1996515989
Publication number (International publication number)：1998508904
Application date： Nov. 14, 1995
Publication date： Sep. 02, 1998
Summary：

【要約】ボディーが1層またはそれ以上の反射層を含む被膜を開示し、その1層は平滑な薄い110方位のテクスチャーを持つα-Al2O3層である。前記Al2O3層は、ほとんど研磨されたAl2O3層のような表面外観を有する。前記α-Al2O3層はCVD方法により被膜される。Al2O3の核生成以前にCVD反応装置雰囲気の酸化ポテンシャルは低水準に保持される。Al2O3の核生成は反応ガスのシーケンス制御によって開始する。二つの異なるドーパント(H2S及びSF6)が使用され、所望の異なる生長条件を与える。所定の計画後の生長条件を変更することによって、所望のα-Al2O3層を生長させることが可能である。

Claim (excerpt)：

1.2.5〜12μmの厚さを有する最外層または第2最外層のα-Al<SB>2</SB>O<SB>3</SB><SB></SB>層を含む厚さ<20μmの被膜を有するボディーであって、被膜されたままの前記Al<SB>2</SB>O<SB>3</SB>層が近研磨様の平滑で光沢のある外観を有するボディー。 2.前記Al<SB>2</SB>O<SB>3</SB>層が、1.5より大きいテクスチャー係数である110テクスチャーを有し、前記テクスチャー係数が次式で定義され、 TC(hkl)={I(hkl)/I<SB>0</SB>(hkl)}{(1/n)Σ[I(hkl)/I<SB>0</SB>(hkl)]}<SP>-1</SP><SP></SP> I(hkl)=(hkl)反射の測定強度 I<SB>0</SB>(hkl)=ASTM標準粉末パターン回折資料の標準強度 n=計算に使用した反射数(hkl)、使用した反射は(012),(104),(110),(113),(024)(116)である請求項1記載のボディー。 3.前記Al<SB>2</SB>O<SB>3</SB>層が、10μmの長さに渡って平均表面平滑度R<SB>max</SB>≦0.4μmを有する請求項1記載のボディー。 4.前記ボディーが超硬合金、サーメットまたはセラミックの基板である請求項1記載のボディー。 5.前記被膜が前記Al<SB>2</SB>O<SB>3</SB>層及びTiC<SB>x</SB>N<SB>y</SB>O<SB>z</SB>層の複数層からなる請求項1記載のボディー。 6.前記Al<SB>2</SB>O<SB>3</SB>層が前記TiC<SB>x</SB>N<SB>y</SB>O<SB>z</SB>層の頂上にある請求項5記載のボディー。 7.前記Al<SB>2</SB>O<SB>3</SB>層の上部に薄い1μm以下の厚さのTiN層がある請求項6記載のボディー。 8.α-Al<SB>2</SB>O<SB>3</SB>の最外層が3〜8μmの厚さを有する請求項1記載のボディー。 9.テクスチャー係数が,2.5より大きい請求項2記載のボディー。 10.前記ボディーの前記サーメットがチタニウム基炭窒化物である請求項4記載のボディー。 11.CVDによりαAl<SB>2</SB>O<SB>3</SB>層でボディーを被膜する方法であって、 前記ボディーが、1種または2種以上のアルミニウムハロゲン化物と加水分解する薬剤及び/または酸化する薬剤と高温度で接触せしめられ Al<SB>2</SB>O<SB>3</SB>の核生成以前にCVD反応装置雰囲気の酸化ポテンシャルが、H<SB>2</SB>0または、CO<SB>2</SB>またはO<SB>2</SB>のような他種の酸化剤を5ppm未満の全濃度水準で使用して低水準に保持され、 Al<SB>2</SB>O<SB>3</SB>の前記核生成が、次の順、即ちCO<SB>2</SB>、CO及びAlCl<SB>3</SB>の順に反応ガスのシーケンス制御によって開始し、 温度は核生成中は約1000°Cであり、且つ 前記Al<SB>2</SB>O<SB>3</SB>層の核生長中は2種の異なるドーパントが所定の異なる条件で使用される、αAl<SB>2</SB>O<SB>3</SB>層でボディーを被膜する方法。 12.前記ドーパントの1種がフッ素を含まない硫黄基ドーパントであり、且つ別の1種が硫黄-フッ素基ドーパントである請求項11記載の方法。 13.前記フッ素を含まない硫黄基ドーパントがH<SB>2</SB>Sである請求項12記載の方法。 14.前記フッ素を含む硫黄基ドーパントがSF<SB>6</SB>である請求項12記載の方法。 15.前記ドーパントが約20分の期間交互に使用される請求項12記載の方法。 16.フッ素を含まない前記硫黄基ドーパントの濃度が一定に保持され且つフッ素を含む前記硫黄基ドーパントの濃度が20分〜1.5時間の期間反応混合物に添加される請求項14記載の方法。

IPC (2)：

C23C 16/40 ,  B23B 27/14

FI (2)：

C23C 16/40 ,  B23B 27/14 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭64-016302
  
• 被覆物体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-344615   Applicant：サンドビックアクティエボラーグ
• セラミック酸化物被覆の硬質材料焼結体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-167706   Applicant：サンドビックアクティエボラーグ