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J-GLOBAL ID：200903043347571136

半導体装置

Inventor：
小野 瑞城

About 小野 瑞城

, 
西山 彰

About 西山 彰


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002259598
Publication number (International publication number)：2004103631
Application date： Sep. 05, 2002
Publication date： Apr. 02, 2004
Summary：
【課題】高電流駆動能力と低静電容量とを実現し高速動作をする高性能の半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板1と、半導体基板1上に形成されたゲート絶縁膜5、10と、ゲート絶縁膜5、10上に形成されたゲート電極6と、ゲート絶縁膜6が形成された位置を挟むように互いに離間して半導体基板1表面に形成されたソース領域及びドレイン領域7とを備える第1及び第2の電界効果トランジスタを備える内部回路と、内部回路に接続された入出力部とを具備し、第1の電界効果トランジスタに接続された第1の負荷容量は、第2の電界効果トランジスタに接続された第2の負荷容量よりも大きく、第1の電界効果トランジスタのゲート絶縁膜5は、第2の電界効果トランジスタのゲート絶縁膜10よりも平均比誘電率が高い半導体装置。【選択図】 図6
Claim (excerpt)：
半導体基板と、 前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、 前記ゲート絶縁膜が形成された位置を挟むように互いに離間して前記半導体基板表面に形成されたソース領域及びドレイン領域とを備える第1及び第2の電界効果トランジスタを備えた第1の回路と、 前記第1の回路に前記第1の回路の入出力部として接続され、前記第1の回路よりも高い電圧で駆動される第2の回路とを具備し、 前記第1の電界効果トランジスタのドレイン領域に接続された第1の負荷容量は、前記第2の電界効果トランジスタのドレイン領域に接続された第2の負荷容量よりも大きく、前記第1の電界効果トランジスタのゲート絶縁膜は、前記第2の電界効果トランジスタのゲート絶縁膜よりも平均比誘電率が高いことを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78
FI (2)：
H01L27/08 102C ,  H01L29/78 301G
F-Term (52)：
5F048AB04 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA16 ,  5F048BB04 ,  5F048BB08 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB17 ,  5F048BC05 ,  5F048BC06 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BG14 ,  5F140AA00 ,  5F140AB01 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BC06 ,  5F140BD13 ,  5F140BD16 ,  5F140BD17 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE13 ,  5F140BE16 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG26 ,  5F140BG28 ,  5F140BG29 ,  5F140BG34 ,  5F140BG38 ,  5F140BH15 ,  5F140BH16 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ06 ,  5F140BJ23 ,  5F140BK13 ,  5F140BK20 ,  5F140BK25 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140CB04 ,  5F140CC03 ,  5F140CC12 ,  5F140CE07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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