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J-GLOBAL ID：200903043367903216

集積回路誘電体の製法

Inventor： チャンミン ジン ,  リチャード スコット リスト ,  ジョセフ ディ.ラットマー
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998301396
Publication number (International publication number)：1999214658
Application date： Oct. 22, 1998
Publication date： Aug. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】 エージング室中、流れ込む触媒雰囲気中でゲルのエージングを行って、シリカキセロゲル誘電体を製造する。【解決手段】 キセロゲルエージング装置は、入口及び出口を有するエージング室(110)を有し、半導体ウェーハ上のキセロゲル前駆物質フイルムの上に気相としてゲル化触媒を流す。好ましい態様ではアンモニアと水の蒸気ガス混合物触媒を用いる。

Claim (excerpt)：

(a) 本体上に誘電体前駆物質の層を施し、(b) 前記層の上に前駆物質反応触媒を流し込み、次いで(c) 前駆物質反応を完了して誘電体層を形成する、諸工程からなる誘電体層製造方法。

IPC (3)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  C01B 33/16

FI (2)：

H01L 27/10 651 ,  C01B 33/16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• ナノポーラス・シリカ薄膜を製造するための改善された方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平10-547456   Applicant：アライドシグナル・インコーポレーテッド