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J-GLOBAL ID:200903043468425323
研磨パッドおよび研磨装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999012162
Publication number (International publication number):2000216121
Application date: Jan. 20, 1999
Publication date: Aug. 04, 2000
Summary:
【要約】【課題】半導体ウェーハ上に形成された絶縁層または金属配線等の凹凸のある表面を研磨によって平滑化する平坦化で使用するための研磨パッドまたは研磨装置において、研磨層は研磨を行っていくと、研磨層の微細孔部分に、研磨屑やスラリー等が堆積し目詰まりを生じるため、研磨特性が安定していないと言う問題点が指摘されている。【解決手段】導電性微粒子を含有したシンタクチックフォームからなる研磨層を有する研磨パッド。
Claim (excerpt):
導電性微粒子を含有したシンタクチックフォームからなる研磨層を有する研磨パッド。
IPC (6):
H01L 21/304 622
, B24B 37/00
, B24D 3/00 350
, B24D 3/02 310
, B24D 3/28
, B24D 3/34
FI (6):
H01L 21/304 622 F
, B24B 37/00 C
, B24D 3/00 350
, B24D 3/02 310 D
, B24D 3/28
, B24D 3/34 A
F-Term (16):
3C058AA07
, 3C058AA09
, 3C058DA12
, 3C058DA17
, 3C063AA10
, 3C063AB02
, 3C063AB05
, 3C063BB02
, 3C063BB07
, 3C063BC01
, 3C063BC03
, 3C063BD05
, 3C063BE06
, 3C063BG07
, 3C063EE10
, 3C063FF01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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半導体ウェハ処理装置及び半導体ウェハ処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-156111
Applicant:株式会社東芝, インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
-
研磨布及びその研磨布の研磨機定盤への脱着方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-101379
Applicant:ニッタ株式会社
-
レジンボンド砥石
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-074740
Applicant:三菱マテリアル株式会社
-
特開平4-101782
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特開平4-101782
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