Pat

J-GLOBAL ID：200903043517831944

高純度アルミニウムまたはその合金からなるスパッタリングターゲット

Inventor： 福世 秀秋 ,  沢田 進 ,  永澤 俊
Applicant, Patent owner： 株式会社ジャパンエナジー
Agent (1)： 倉内 基弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993104942
Publication number (International publication number)：1994299342
Application date： Apr. 08, 1993
Publication date： Oct. 25, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 スパッタリングにより形成されたAl薄膜の膜厚分布の標準偏差の3倍値が5%以下のスパッタリングターゲット。【構成】 高純度Al,Al合金からなるスパッタリングターゲットにおいて、ターゲット結晶組織を再結晶組織とし、各部位の平均結晶粒径が500μm以下で、各部位の平均結晶粒径を平均化したターゲット全体の平均結晶粒径に対する各部位の平均粒径のバラツキが±15%以内であるスパッタリングターゲット。

Claim (excerpt)：

高純度アルミニウムまたはその合金からなるスパッタリングターゲットにおいて、ターゲット結晶組織が再結晶組織であり、ターゲットの各部位での平均結晶粒径が500μm以下であり、各部位の平均結晶粒径を平均化したターゲット全体の平均結晶粒径に対する各部位の平均粒径のバラツキが±15%以内であることを特徴とするターゲット。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• スパッタリングターゲット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-253482   Applicant：三菱化成株式会社