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J-GLOBAL ID：200903043637800171

プラズマ処理装置

Inventor： 鈴木 朗 ,  石塚 修一 ,  川村 剛平 ,  畑 次郎 ,  石川 賢治
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 浅井 章弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994208008
Publication number (International publication number)：1996013169
Application date： Aug. 09, 1994
Publication date： Jan. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】 アンテナ部材のインダクタンスによる誘導結合と、アンテナ部材と処理容器或いはサセプタとの間の容量結合とを組み合わせることにより1×10-3Torr以下の低圧力でもプラズマを発生させることができるプラズマ処理装置を提供することにある。【構成】 気密な処理容器4内にてサセプタ20上に載置された被処理体Wに対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記処理容器内に、前記サセプタと対向する位置にアンテナ部材6を配置し、このアンテナ部材にプラズマ発生用の高周波電源8を接続するように構成する。これにより、1×10-6Torrの高真空下においてもプラズマを発生させることができ、異方性の高いプラズマ処理を行うことができる。しかも、アンテナ部材とサセプタとの間も小さくできるのでプラズマ発生効率を高めることができる。

Claim (excerpt)：

気密な処理容器内にてサセプタ上に載置された被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記処理容器内に、前記サセプタと対向する位置にアンテナ部材を配置し、このアンテナ部材にプラズマ発生用の高周波電源を接続するように構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4)：

C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (2)：

H01L 21/302 C ,  H01L 21/302 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平1-184923
  
• 特開平3-262119
  
• 高真空・高速イオン処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-199962   Applicant：日本真空技術株式会社
• 特開昭57-120676