Pat
J-GLOBAL ID：200903099631391690
高真空・高速イオン処理装置
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
北村 欣一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992199962
Publication number (International publication number)：1994041739
Application date： Jul. 27, 1992
Publication date： Feb. 15, 1994
Summary：
【要約】【目的】 不純物や2次生成物の発生が少なく、高真空中でプラズマの発生を持続させ得ると共に処理用ガスのイオン化率が高く高速でイオン処理できる装置を提供する【構成】 真空室1内に導入した処理用ガスをプラズマにより電離させ、これにより発生するイオンで該真空室内に用意した基板7に成膜又はエッチングする装置に於いて、該真空室の真空排気口3に高真空排気系17を接続し、該基板の前方に該基板の板面と直交するコイル中心軸を有し且つ高周波発振源14に接続されたヘリカルコイル13から成るヘリカルアンテナ15を設けた【効果】 高真空中で高密度プラズマを発生させ得、イオン化率が大きく向上し、イオン処理を高真空中で高速で行なえ、不純物や2次生成物が少ないので膜質が良くダストによる不良品発生の少ないイオン処理を行なえる
Claim (excerpt)：
真空室内に導入したArガスやO2ガス等の処理用ガスをプラズマにより電離させ、これにより発生するイオンで該真空室内に用意した基板に成膜又はエッチングのイオン処理を施す装置に於いて、該真空室の真空排気口に高真空排気系を接続し、該基板の前方に該基板の板面と直交するコイル中心軸を有し且つヘ高周波発振源に接続されたヘリカルコイルから成るヘリカルアンテナを設けたことを特徴とする高真空・高速イオン処理装置。
IPC (3)：
C23C 14/35
, H01L 21/203
, H01L 21/302
