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J-GLOBAL ID：200903043643477137

GaN単結晶基板の加工方法及びGaN単結晶基板

Inventor：
池田 健

About 池田 健

, 
目黒 健

About 目黒 健


Applicant, Patent owner：
日立電線株式会社

About 日立電線株式会社


Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006112541
Publication number (International publication number)：2007284283
Application date： Apr. 14, 2006
Publication date： Nov. 01, 2007
Summary：
【課題】GaN単結晶基板をより平坦あるいは凹形状に加工するGaN単結晶基板の加工方法及びGa単結晶基板を提供する。【解決手段】GaN単結晶基板1のGa面1gに予め加工歪を与えた後、その基板1を平坦なプレート2にGa面1gが接触するように無荷重で貼り付け、基板1のN面1nを加工歪フリーの平坦加工し、プレート2から基板1を取り外し、取り外した基板1をプレート2にN面1nが接触するように荷重をかけて貼り付け、Ga面1gを加工歪みフリーの平坦加工し、プレート2から基板1を取り外して仕上げる加工方法である。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
GaN単結晶基板のGa面に予め加工歪を与えた後、その基板を平坦なプレートにGa面が接触するように無荷重で貼り付け、上記基板のN面を加工歪フリーの平坦加工し、上記プレートから上記基板を取り外し、取り外した基板を上記プレートにN面が接触するように荷重をかけて貼り付け、Ga面を加工歪みフリーの平坦加工し、上記プレートから上記基板を取り外して仕上げることを特徴とするGaN単結晶基板の加工方法。
IPC (4)：
C30B 29/38 ,  H01L 21/304 ,  H01L 33/00 ,  C30B 33/00
FI (5)：
C30B29/38 D ,  H01L21/304 621B ,  H01L21/304 622W ,  H01L33/00 C ,  C30B33/00
F-Term (11)：
4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077FG11 ,  4G077FG16 ,  4G077FG18 ,  4G077FG20 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA77
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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