窒化物半導体基板の加工方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：川瀬茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003281647
Publication number (International publication number)：2004356609
Application date： Jul. 29, 2003
Publication date： Dec. 16, 2004
Summary：

【課題】直径が45mm以上で、反りがなく、平坦性、平滑性にすぐれたGaAs自立基板を提供する。【解決手段】粗研磨では上定盤3を引き上げ、無荷重の状態で研磨することによりGaN基板2を反りをR≧50mとする。精密研磨ではペルオキソ2硫酸カリウム、水酸化カリウムと紫外線によって化学的にGaNを研磨する。遊離砥粒による機械的研磨と合わせることによりGaNの化学的機械的研磨(CMP)が可能となる。これらの方法により、表面および裏面の面粗度をそれぞれ0.1nm≦RMS≦0.5nmおよび0.1nm≦RMS≦2nmとすることができる。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

直径が45mm以上で、一つの極大点または極小点をもつ一様反りがあり中央部での高さHが12μm以下もしくは反りの曲率半径Rが21m以上であって、表面粗さが0.1nm≦RMS≦5nmで、裏面粗さが0.1nm≦RMS≦5000nmであることを特徴とする窒化物半導体基板。

IPC (5)：

H01L21/304 , B24B37/00 , C30B29/38 , H01L21/20 , H01L21/306

FI (6)：

H01L21/304 621A , H01L21/304 622W , B24B37/00 Z , C30B29/38 D , H01L21/20 , H01L21/306 M

F-Term (19)：

3C058AA07 , 3C058CA01 , 3C058CB01 , 3C058DA02 , 4G077AA02 , 4G077AB09 , 4G077AB10 , 4G077BE15 , 4G077FG07 , 4G077FH08 , 4G077HA12 , 5F043AA05 , 5F043BB10 , 5F043DD08 , 5F043DD16 , 5F043EE08 , 5F043FF07 , 5F043GG10 , 5F052KA01

Patent cited by the Patent：

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