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J-GLOBAL ID：200903043682321586
半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
杉村 暁秀 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000198829
Publication number (International publication number)：2002016321
Application date： Jun. 30, 2000
Publication date： Jan. 18, 2002
Summary：
【要約】【課題】 短波長から長波長まで、発振波長の自由度に優れた半導体レーザを、動作時の特性劣化を生じることなく、長期信頼性の下に提供する。【解決手段】 第1のコンタクト層103に、半導体レーザの長手方向と略平行に凹部4を形成する。そして、中間層105を介して凹部4に起因した段差を埋めるように第1のクラッド層106を形成する。次いで、第1のクラッド層106上に、第1の光ガイド層107、活性層108、第2の光ガイド層109、第2のクラッド層110、第2のコンタクト層111を順次形成する。さらに、p電極114及びn電極115を形成する。
Claim (excerpt)：
基板上に、バッファ層と、第1のコンタクト層と、第1のクラッド層と、第1の光ガイド層と、活性層と、第2の光ガイド層と、第2のクラッド層と、第2のコンタクト層とがこの順に積層されてなる半導体レーザであって、前記第1のコンタクト層は、前記半導体レーザの長手方向に略平行な凹部を有し、前記第1のコンタクト層と前記第1のクラッド層との間の少なくとも一部に多結晶状の中間層を具えることを特徴とする、半導体レーザ。
F-Term (11)：
5F073AA11
, 5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA51
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073DA05
, 5F073DA07
, 5F073DA25
Cited by applicant (1)
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半導体レーザ
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平11-248038
Applicant：科学技術振興事業団
Cited by examiner (1)
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半導体レーザ
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平11-248038
Applicant：科学技術振興事業団
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