半導体レーザ

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西義之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999248038
Publication number (International publication number)：2001077471
Application date： Sep. 01, 1999
Publication date： Mar. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】従来、水平横モードの光閉じ込めが不十分で、低しきい値電流動作で安定した単一横モード動作可能なGaN系半導体レーザが実現できなかった。【解決手段】電流狭窄層としてAlGaInN系を用い、該電流狭窄層を貫通するストライプ状の開口部を作製した後に活性層を含むレーザ結晶層を成長した構造を用いた。該電流狭窄層の組成を変えることによって、実屈折率導波型や損失導波型の導波路を形成することができる。さらに、電流狭窄層とn層の間に存在する格子不整合によるクラックを抑制するために低温中間層を用いるかまたは基板上の低温バッファ層の上のn層にAlGaInN系を用いることによりクラックを抑制し、低しきい値電流密度で安定した屈折率導波による単一横モード型GaN系半導体レーザを実現できる。

Claim (excerpt)：

基板と、n型層と、Al<SB>x </SB>Ga<SB>1-x-y </SB>In<SB>y </SB>N(0<x≦1,0≦y≦1,x+y≦1)から成るp型または高抵抗電流狭窄層と、該電流狭窄層を貫通するストライプ状開口部と、活性層とを備えた半導体レーザにおいて、基板とバッファ層の接する面から0.10μm以上離れた箇所からp電極間に成膜温度300〜800°Cで堆積したAl<SB>a </SB>Ga<SB>1-a-b </SB>In<SB>b </SB>N層(0≦a≦1,0≦b≦1,a+b≦1)を有する半導体レーザ。

IPC (2)：

H01S 5/223 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 5/223 , H01L 33/00 C

F-Term (17)：

5F041AA03 , 5F041AA06 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F073AA25 , 5F073AA45 , 5F073AA51 , 5F073AA74 , 5F073BA06 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073EA18 , 5F073EA23 , 5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-067631 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-179489 Applicant：東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-093716 Applicant：株式会社東芝

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Cited by examiner (5)

窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-067631 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-179489 Applicant：東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-093716 Applicant：株式会社東芝

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