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J-GLOBAL ID：200903043704017533

半導体装置のアルミニウム配線の形成方法及び装置

Inventor： 近藤 英一 ,  三友 亨 ,  山本 浩 ,  太田 与洋
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 小杉 佳男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993068261
Publication number (International publication number)：1994240456
Application date： Mar. 26, 1993
Publication date： Aug. 30, 1994
Summary：

【要約】【目的】半導体装置の内部Al配線をCVDにより高速で安定的に形成する。【構成】CVD装置を用いて原料を供給する場合、原料の粘度、蒸気圧等の物性に応じ、バブラー容器6内の圧力を大気圧以下に圧力調節器9により一定にコントロールする。バブラー容器6の温度は原料の熱安定性、蒸気圧を考慮して決定する。例えば、DMAHの場合は圧力は500〜20Torrの範囲、オイルバス温度30〜100°Cが望ましい。

Claim (excerpt)：

有機アルミニウム化合物原料を、キャリアガスとともにバブラーにより気化させ、該キャリアガスを用いて輸送し、減圧下の反応容器に供給して、アルミニウムの化学気相成長によって半導体装置のアルミニウム配線を形成する際に、該反応容器の圧力を該バブラーの圧力よりも低くし、かつ気化雰囲気の圧力を大気圧よりも低く保つことを特徴とする半導体装置のアルミニウム配線の形成方法。

IPC (4)：

C23C 16/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/3205