薄膜半導体装置とその製造方法並びに画像表示装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：小野寺洋二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003176095
Publication number (International publication number)：2005012057
Application date： Jun. 20, 2003
Publication date： Jan. 13, 2005
Summary：

【課題】多結晶半導体膜で作製された薄膜トランジスタの結晶配向を制御して、CMOS薄膜トランジスタの高性能化、高信頼化を実現する。【解決手段】絶縁性基板3上に、主たる配向が異なる半導体薄膜を、N型薄膜トランジスタのチャネル領域4、P型薄膜トランジスタのチャネル領域5で最適な配向をとるように作り分ける。絶縁性基板上3に、主たる配向が異なる半導体薄膜を作り分け、ソース・ドレイン領域6の配向が、不純物活性化速度が最も大きくなる配向となるようにする。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

同一の絶縁性基板上に形成され、チャネル領域及びソース・ドレイン領域が半導体薄膜からなるN導電型薄膜トランジスタとP導電型薄膜トランジスタとで構成した相補型MOSの薄膜半導体装置であって、前記チャネル領域の半導体薄膜膜面の主たる結晶面配向が、前記N導電型薄膜トランジスタと前記P導電型薄膜トランジスタとで異なることを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (4)：

H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/20 , H01L21/336

FI (9)：

H01L29/78 620 , G02F1/1368 , H01L21/20 , H01L29/78 613A , H01L29/78 627G , H01L29/78 626C , H01L29/78 612B , H01L29/78 616L , H01L29/78 616S

F-Term (54)：

2H092JA24 , 2H092JA28 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JA46 , 2H092JA47 , 2H092JB22 , 2H092JB31 , 2H092JB44 , 2H092JB56 , 2H092JB61 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092MA13 , 2H092MA18 , 2H092MA27 , 2H092MA30 , 2H092NA22 , 2H092NA29 , 2H092PA01 , 2H092RA05 , 5F052AA02 , 5F052AA17 , 5F052CA04 , 5F052DA01 , 5F052DA02 , 5F052DB01 , 5F052EA11 , 5F052FA13 , 5F052GA01 , 5F052GA02 , 5F052GB03 , 5F052JA01 , 5F052JA04 , 5F110AA01 , 5F110AA04 , 5F110AA14 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110BB10 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD25 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG17 , 5F110GG44 , 5F110HJ23 , 5F110NN78 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP36

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平1-162376
アクティブマトリクス型表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-180183 Applicant：富士通株式会社
特開昭60-154548

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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