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J-GLOBAL ID：200903043774652805

発光素子、発光素子アレイ及び発光素子の製造方法

Inventor： 荻原 光彦 ,  谷中 真澄 ,  清水 孝篤 ,  浜野 広
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 前田 実
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997256692
Publication number (International publication number)：1999097743
Application date： Sep. 22, 1997
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 LEDアレイにおける発光領域の電極被覆率による光取り出し効率の制限をなくし、発光効率の高い発光素子、発光素子アレイ及び発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 LEDアレイは、n型GaAs基板101の上にn型のGaAsバッファ層102を形成し、その上にn型のAlzGa1-zAs層103、n型のAlyGa1-yAs層104、半絶縁性のAlxGa1-xAs層105及び半絶縁性のGaAs層106を積層し、積層構造にはZnを拡散して形成したZn拡散領域107-1(Zn拡散領域1)、Zn拡散領域107-1に電気的に連結されて形成されたZn拡散領域107-2(Zn拡散領域2)を備えた構造とし、基板表面に半絶縁性半導体層を設け、pn接合を形成する拡散領域と連結した拡散領域を半絶縁性半導体領域内に形成するようにし、半絶縁性半導体領域に形成した拡散領域表面にp側電極コンタクトを形成し、pn接合領域に電極コンタクトで被覆する領域をなくした構造とする。

Claim (excerpt)：

少なくとも第1導電型半導体層と半絶縁性半導体層を有する基板に第2導電型の不純物によるpn接合が選択的に形成されている発光素子において、第1導電型半導体層内にpn接合を有する第2導電型領域と連結した第2導電型領域が電流導通層として半絶縁性半導体層内に形成されており、該半絶縁性半導体内に形成された第2導電型領域上にのみ第2導電型側の電極が形成されていることを特徴とする発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 発光ダイオードアレイ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-009420   Applicant：沖電気工業株式会社
• 特開昭56-040285
  
• 特開昭62-130571