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J-GLOBAL ID：200903043786932528

半導体発光素子

Inventor： 岡川 広明 ,  橋本 孝行 ,  宮下 啓二 ,  山田 智雄 ,  只友 一行
Applicant, Patent owner： 三菱電線工業株式会社
Agent (1)： 高島 一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995026671
Publication number (International publication number)：1996222760
Application date： Feb. 15, 1995
Publication date： Aug. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】 ダブルヘテロ接合構造の発光部の材料にInGaAlP系の化合物半導体を用いる発光素子において、発光効率がより向上し得るように該発光素子の構成条件を特定し、より発光効率の優れた半導体発光素子を提供すること。【構成】 特に好ましい材料として、n型のGaAs基板1上に、In0.49(GaX Al1-X )0.51P(xは0〜1)からなる、n型のクラッド層21、活性層22、p型のクラッド層23がダブルヘテロ接合された構造の発光部2を有する半導体発光素子であって、活性層の厚みが0.75μmより大きく1.5μm以下、および/または、p型のクラッド層の厚みが0.5μm〜2.0μmであることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

n型の半導体基板と、該基板側からInGaAlP系の化合物半導体材料からなるn型クラッド層、活性層、p型クラッド層がこの順にダブルヘテロ接合されてなる発光部とを有する半導体発光素子であって、活性層の厚みが0.75μmより大きく1.5μm以下、および/または、p型クラッド層の厚みが0.5μm〜2.0μmであることを特徴とする半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-212479
  
• 特開平4-315479
  
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-077811   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開平4-087379