半導体基板およびその処理方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992349538
Publication number (International publication number)：1994084925
Application date： Dec. 28, 1992
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】本発明は、素子特性の劣化の原因となる微小欠陥や酸素析出物の発生を抑制できる半導体基板の処理方法を提供すること。【構成】シリコン基板をガス雰囲気中で熱処理する工程を有するシリコン基板の処理方法において、前記熱処理は1100°C以上の非酸化性雰囲気中で行なわれ、前記熱処理以前の熱工程の熱処理温度と熱処理時間とが、前記熱処理温度と前記熱処理時間とを座標とする平面において、(900°C,4分),(800°C,40分),(700°C,11時間),(600°C,320時間)の4つの点を結ぶ線以下の領域に含まれることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板をガス雰囲気中で熱処理する工程を有する半導体基板の処理方法において、前記熱処理は1100°C以上の非酸化性雰囲気で行なわれ、前記熱処理以前の熱工程の熱処理温度と熱処理時間とが、前記熱処理温度と前記熱処理時間とを座標とする平面において、(900°C,4分),(800°C,40分),(700°C,11時間),(600°C,320時間)の4つの点を結ぶ線以下の領域に含まれることを特徴とする半導体基板の処理方法。

IPC (3)：

H01L 21/322 , H01L 21/223 , H01L 21/324

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

特開平4-167433
特開平3-123027
特開昭60-247935

Show all

Return to Previous Page