半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小鍜治明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992055146
Publication number (International publication number)：1993259298
Application date： Mar. 13, 1992
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】半導体装置の製造方法の内、多層配線の層間絶縁膜を形成する方法に関するものであり、より微細な配線間を埋め込む層間絶縁膜の形成技術を提供する。【構成】回路素子と絶縁膜(BPSG膜)2が形成され、TiN/AlSiCu/TiN/Tiの多層膜によって第1の配線パタ-ン4の形成されたSi基板1上に、プラズマCVD法でSiO2膜6を堆積し、その後ドライエッチングでSiO2膜6を異方性エッチングし第1の配線パタ-ン4表面を露出させる。つぎに常圧CVD法でTEOSとオゾンを含む酸素の熱分解反応によりSiO2膜10を堆積して層間絶縁膜が形成される。このとき、SiO2膜10を形成する反応は表面反応性が強く、その堆積速度が下地の種類によって異なるという性質を有しているが、基板表面が絶縁膜と一種類の金属膜表面になっているので、オ-バ-ハング形状の発生を防止し、より微細な配線間を埋め込むことができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に第1の絶縁膜を形成する工程と、この第1の絶縁膜上に多層の金属膜からなる第1の導体パタ-ンを形成する工程と、この第1の導体パタ-ンの側面に第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第1及び第2の絶縁膜上及び前記第1の導体パタ-ン上に表面反応性の強い気相化学反応で第3の絶縁膜を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平2-058836
特開昭59-215746
特開平3-204935

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