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J-GLOBAL ID：200903043868734260

半導体装置

Inventor：
樹神 雅人

About 樹神 雅人

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河路 佐智子

About 河路 佐智子

, 
上杉 勉

About 上杉 勉


Applicant, Patent owner：
株式会社豊田中央研究所

About 株式会社豊田中央研究所


Agent (1)： 布施 行夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997028475
Publication number (International publication number)：1998214969
Application date： Jan. 28, 1997
Publication date： Aug. 11, 1998
Summary：
【要約】【課題】 絶縁ゲート型トランジスタのオン抵抗を低減することである。【解決手段】 本発明の絶縁ゲート型半導体装置は、SOI構造を利用した立体的なデバイスであり、ダブルゲート(G1,G2)構造を採用するとともに、トレンチゲート(230)と、このトレンチゲートに対向するトレンチドレイン(220a,220b)を配置する。ゲート電極の周囲に形成される低抵抗のキャリア蓄積層は、チャネル領域(反転チャネル)に連続し、かつ基板の垂直方向に伸びる形態で形成される。また、トレンチゲートとトレンチドレインにより挟まれた低濃度ドレイン領域(200)全体がキャリアの均一な移動の経路として機能し、電流経路の断面積が増大する。よって、オン抵抗を劇的に低減することが可能である。
Claim (excerpt)：
絶縁ゲート型の半導体装置において、電界緩和領域として機能する低濃度ドレイン領域にまで、チャネル領域から延長して設けられた、キャリア蓄積層形成機能をもつトレンチゲートと、前記トレンチゲートに対向するように設けられたトレンチドレインと、を有することを特徴とする半導体装置。
FI (2)：
H01L 29/78 301 W ,  H01L 29/78 653 B
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
  • 特開平1-206666
  • 特開平2-052469
  • 特開平2-122569
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Cited by examiner (17)
  • 特開平1-206666
  • 特開平4-127476
  • 特開平3-112165
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