電界効果トランジスタ及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：土屋勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995026270
Publication number (International publication number)：1996204191
Application date： Jan. 20, 1995
Publication date： Aug. 09, 1996
Summary：

【要約】【目的】チャネル領域で誘起されるキャリア数を多くして、電流駆動能力及び相互コンダクタンスを高める。【構成】 Si層21がトランジスタの活性層になっており、ソース/ドレイン領域である不純物層26a、26b同士の間のチャネル領域を囲む4つの面に、ゲート電極としての多結晶Si膜23a〜23dが形成されている。このため、単一ゲート構造や二重ゲート構造に比べて、チャネル領域で誘起されるキャリア数が多い。

Claim (excerpt)：

チャネル領域を囲む4つの面のうちの少なくとも3つの面にゲート電極が設けられていることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 X , H01L 29/78 301 Y , H01L 29/78 301 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (14)

特開平3-250770
特開平3-250770
特開昭60-017964

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