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J-GLOBAL ID：200903043964858302

ドライエッチング方法

Inventor： 久田 正浩
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 河野 登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994262685
Publication number (International publication number)：1996124908
Application date： Oct. 26, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】 高アスペクト比のホールを高エッチング選択比で形成できるドライエッチング方法を提供する。【構成】 試料Sを試料台35上に載置してC4 F8 ガスをガス供給系31g から導入し、ECR励起によりプラズマを生成させる。そして、周波数400kHzのRF電源36から高周波電力を電極37に供給し、試料Sをエッチング処理してフルオロカーボン系の重合膜16が堆積するホール15を形成する。次にC4 F8 ガスの導入を停止し、酸素ガスをガス供給系31g からプラズマ生成室31内に導入してECR励起により酸素プラズマを発生させて試料Sに照射し、重合膜16を除去する。

Claim (excerpt)：

プラズマ生成室内に導入したフルオロカーボン系ガスにマイクロ波による高周波電界と励磁コイルにより形成される磁界とを作用させて発生したプラズマを半導体基板に照射し、該半導体基板に形成されたシリコン酸化膜をエッチングするドライエッチング方法において、前記フルオロカーボン系ガスを前記プラズマ生成室内へ導入した後、フルオロカーボン系ガスの導入を停止する過程と、酸素ガスを前記プラズマ生成室内に導入する過程と、マイクロ波による高周波電界と前記励磁コイルにより形成される磁界とを作用させて酸素プラズマを発生させ、該酸素プラズマを前記半導体基板に照射する過程とを有することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3213

FI (3)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/88 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-153483   Applicant：ソニー株式会社