上部電極、パワーモジュール、および上部電極のはんだ付け方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：富澤孝 , 山中郁生 , 岡戸昭佳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002294846
Publication number (International publication number)：2004134445
Application date： Oct. 08, 2002
Publication date： Apr. 30, 2004
Summary：

【課題】電気性能の不良を起こさないとともに、ボイドの発生を防止することができる上部電極、パワーモジュール、および上部電極のはんだ付け方法を提供すること。【解決手段】上部電極10に、突起部11とはんだ注入口12とを形成する。そして、この突起部11をパワー素子32a,32b上に接するように、上部電極10をパワー素子32a,32b上に載置して、上部電極10とパワー素子32a,32bとの間に隙間を形成する。その後、その隙間に対しはんだ注入口12から溶融はんだ21を供給して、上部電極10とパワー素子32a,32bとをはんだ接合する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

パワー素子上にはんだ付けされる上部電極において、前記パワー素子と接して溶融はんだの供給空間を形成する突起部と、前記突起部により形成された溶融はんだの供給空間に溶融はんだを供給するためのはんだ注入口と、を有することを特徴とする上部電極。

IPC (3)：

H01L23/48 , H01L25/07 , H01L25/18

FI (2)：

H01L23/48 G , H01L25/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

マルチチップモジュールの冷却構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-371986 Applicant：トヨタ自動車株式会社, 株式会社豊田中央研究所

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