Pat
J-GLOBAL ID：200903044026254160

ダミーリードを用いた高速LSI半導体装置およびその信頼性改善方法

Inventor：
沼田 乾

About 沼田 乾


Applicant, Patent owner：
テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド

About テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド


Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995169169
Publication number (International publication number)：1996045936
Application date： May. 31, 1995
Publication date： Feb. 16, 1996
Summary：
【要約】【目的】 進歩した信頼性を備えた金属リード14を有する半導体装置を得る。【構成】 基板12上の金属リード14、少なくとも金属リード14間の低誘電率材料、および、金属リード14に近接したダミーリード16を含む。金属リード14からの熱はダミーリード16へ伝達でき、ダミーリード16はその熱を放散させることができる。低誘電率材料18は3.5よりも低い誘電率を有する。
Claim (excerpt)：
半導体装置の金属リードの信頼性を高めるための方法であって、基板上へ少なくとも2本の金属リードを形成すること、前記金属リードに近接してダミーリードを形成すること、および少なくとも前記金属リード線間に低誘電率材料を堆積させること、の工程を含み、それによって前記金属リードからの熱が前記ダミーリードへ伝達、放散でき、ここにおいて前記低誘電率材料が3.5よりも低い誘電率を有している方法。
IPC (2)：
H01L 21/3205 ,  H01L 21/768
FI (2)：
H01L 21/88 S ,  H01L 21/90 J
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • 半導体装置の配線形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-225927   Applicant：川崎製鉄株式会社
  • 多層配線構造
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-066501   Applicant：日本電気株式会社
  • 特開昭61-255036

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM