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J-GLOBAL ID:200903044032485130
トリメチルガリウム、その製造方法およびそのトリメチルガリウムから得られた窒化ガリウム薄膜
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (3):
久保山 隆
, 中山 亨
, 榎本 雅之
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004298564
Publication number (International publication number):2006111546
Application date: Oct. 13, 2004
Publication date: Apr. 27, 2006
Summary:
【課題】 有機ケイ素化合物含有量が少なく、GaN層を製造した場合にキャリア濃度を安定して調整できるトリメチルガリウム、およびこのトリメチルガリウムの製造方法、ならびにこのトリメチルガリウムを用いて成膜された窒化ガリウム薄膜を提供する。【解決手段】 本発明のトリメチルガリウムは、全有機ケイ素化合物の濃度が0.1ppm未満であることを特徴とし、このトリメチルガリウムの製造方法は、原料のトリメチルアルミニウムを加水分解し、含有する有機ケイ素化合物を溶媒に抽出後、ガスクロマトグラフ質量分析法によってメチルトリエチルシランを定量し、原料としてメチルトリエチルシラン濃度が0.5ppm未満のトリメチルアルミニウムを選択し、蒸留精製後、塩化ガリウムと反応させ、反応液を蒸留してトリメチルガリウムを得ることを特徴とする。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
全有機ケイ素化合物の濃度が0.1ppm未満であることを特徴とするトリメチルガリウム。
IPC (3):
C07F 5/00
, C23C 16/34
, H01L 21/205
FI (3):
C07F5/00 H
, C23C16/34
, H01L21/205
F-Term (18):
4H048AA02
, 4H048BC30
, 4H048VA85
, 4K030AA11
, 4K030AA13
, 4K030AA17
, 4K030BA38
, 4K030BB13
, 4K030CA05
, 4K030FA10
, 4K030HA01
, 4K030LA14
, 5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AC07
, 5F045AC12
, 5F045AD08
, 5F045BB14
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
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特開昭62-132888号公報(第3頁の実施例)
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有機金属化合物の精製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-149676
Applicant:住友化学工業株式会社
Cited by examiner (4)