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J-GLOBAL ID：200903044049442605

プラズマ処理装置

Inventor： 友吉 力
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン山梨株式会社
Agent (1)： 金本 哲男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995171370
Publication number (International publication number)：1996339984
Application date： Jun. 13, 1995
Publication date： Dec. 24, 1996
Summary：

【要約】【目的】 プラズマ処理装置において、ヒータを設けることなく、電極周囲の絶縁体に反応生成物が付着することを防止する。【構成】 上部電極41の周辺に位置する絶縁体であるシールドリング43の内部に、熱伝導率が良好な伝導部材44を気密に封入する。プラズマを発生させた際にイオン入射によって発生した熱は、伝導部材44によってシールドリング43の下面全面及び外側表面に伝達されるので、これら表面は高温となって、反応生成物の付着は防止される。

Claim (excerpt)：

処理室内に上部電極と下部電極を上下に対向して有し、少なくともこれら上部電極と下部電極のいずれか一方に高周波電力を供給して処理室内にプラズマを発生させ、処理室内の被処理体に対して処理を施す如く構成された装置において、上部電極又は下部電極の少なくともいずれか一方の周辺部に位置する絶縁体の内部に、熱伝導率が良好な伝導部材が気密に封入されたことを特徴とする、プラズマ処理装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-228035
  
• 特開平4-078134
  
• 半導体プラズマ処理装置の電極カバー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-085883   Applicant：株式会社創造科学, 有限会社宮田技研