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J-GLOBAL ID：200903044180547307

ガラスへの高四面体非晶質炭素コーティング

Inventor：
ヴィアラサミー,ヴィジャエン,エス.

About ヴィアラサミー,ヴィジャエン,エス.


Applicant, Patent owner：
ガーディアン・インダストリーズ・コーポレーション

About ガーディアン・インダストリーズ・コーポレーション


Agent (1)： 原 謙三 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000615344
Publication number (International publication number)：2002543035
Application date： May. 01, 2000
Publication date： Dec. 17, 2002
Summary：
【要約】ソーダ介在性のガラス基板は、ダイヤモンドの特徴を有している炭素(DLC)を形成する高四面体非晶質炭素を介在する層でコーティングされる。ある実施例においては、非晶質炭素層は少なくとも約35%のsp3 炭素-炭素結合を有している。より好ましいのは少なくとも約70%、最も好ましいのは少なくとも約80%のsp3 炭素-炭素結合を有しているものである。高密度(例えば、約2.4g/cm3 以上)の非晶質炭素層は、ソーダがガラスを攻撃し、かつ、ガラスの表面の水と反応することを防止し、そのことにより、ガラス上で視認される汚れ(又は腐食)を最小化する。高四面体非晶質炭素層はまた、水も撥ね除けることが可能である。幾つかの実施例においては、高四面体非晶質炭素は、大きなDLCコーティングの一部分であり、一方、他の実施例における高非晶質層は、基板上の全DLCコーティングを形成する。
Claim (excerpt)：
重量ベースで、約60〜80%のSiO2 と、約10〜20%のNa2 Oと、約0〜16%のCaOと、約0〜10%のK2 Oと、約0〜10%のMgOと、約0〜5%のAl2 O 3と、非結晶ダイヤモンドの特徴を有する炭素(DLC)コーティングとを含むソーダ含有性のガラス基板を備え、 前記DLCコーティングは、前記ガラス基板に提供されるとともに、少なくとも約35%のsp3 炭素-炭素結合であって、なおかつ少なくとも約2.4g/cm3 の平均密度である、第1の高四面体非晶質炭素層を少なくとも備えていることを特徴とするコーティングされたガラス。
IPC (3)：
C03C 17/22 ,  C03C 3/087 ,  C03C 17/34
FI (3)：
C03C 17/22 Z ,  C03C 3/087 ,  C03C 17/34 Z
F-Term (76)：
4G059AA01 ,  4G059AB11 ,  4G059AC16 ,  4G059AC21 ,  4G059AC22 ,  4G059AC30 ,  4G059EA11 ,  4G059EB03 ,  4G059GA01 ,  4G059GA04 ,  4G059GA12 ,  4G062AA01 ,  4G062BB03 ,  4G062DA06 ,  4G062DA07 ,  4G062DB01 ,  4G062DB02 ,  4G062DB03 ,  4G062DC01 ,  4G062DD01 ,  4G062DE01 ,  4G062DF01 ,  4G062EA01 ,  4G062EB04 ,  4G062EC01 ,  4G062EC02 ,  4G062EC03 ,  4G062ED01 ,  4G062ED02 ,  4G062ED03 ,  4G062EE01 ,  4G062EE02 ,  4G062EE03 ,  4G062EE04 ,  4G062EF01 ,  4G062EG01 ,  4G062FA01 ,  4G062FA10 ,  4G062FB01 ,  4G062FC01 ,  4G062FD01 ,  4G062FE01 ,  4G062FF01 ,  4G062FG01 ,  4G062FH01 ,  4G062FJ01 ,  4G062FK01 ,  4G062FL01 ,  4G062GA01 ,  4G062GA10 ,  4G062GB01 ,  4G062GC01 ,  4G062GD01 ,  4G062GE01 ,  4G062HH01 ,  4G062HH03 ,  4G062HH05 ,  4G062HH07 ,  4G062HH09 ,  4G062HH11 ,  4G062HH13 ,  4G062HH15 ,  4G062HH17 ,  4G062HH20 ,  4G062JJ01 ,  4G062JJ03 ,  4G062JJ05 ,  4G062JJ07 ,  4G062JJ10 ,  4G062KK01 ,  4G062KK03 ,  4G062KK05 ,  4G062KK07 ,  4G062KK10 ,  4G062MM01 ,  4G062NN40
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 特開平3-274276
  • 特表昭61-502403
  • 赤外線用光路の作製方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-100482   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
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