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J-GLOBAL ID：200903044218353366

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 權 寧 信 ,  安 昇 晧
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 三好 秀和 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994285124
Publication number (International publication number)：1995183426
Application date： Nov. 18, 1994
Publication date： Jul. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 現在利用できる主基板上の実装工程と完全な互換性を維持できるとともに信頼性の向上を図ることができ、また、実装効率を向上させることができる半導体装置及びを提供すること。【構成】 主基板31の下部表面と上部表面の両先端の中心部に貫通孔48を形成する工程と、貫通孔を中心に銅42、ニッケル43及び金44を順次に鍍金して鍍金層35を形成する鍍金工程と、前記主基板31の下部及び上部表面に形成された鍍金層の主面にランドパターン47、電極接続端子33及びボールグリッドアレイ35を一定のパターン形状で準備するパターニング工程と、前記主基板の中央に接着剤を媒介として半導体チップ32を実装し、前記電極接続端子33とワイヤボンディングした後、パッケージボディを形成する工程と、前記ボールグリッドアレイ35に一定な形態のろうボール36を実装する工程とを備える。

Claim (excerpt)：

主基板の下部表面及び上部表面の両先端の中心部に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔を中心に銅Cu、ニッケルNi及び金Auを順次に鍍金して鍍金層を形成する鍍金工程と、前記主基板の下部及び上部表面に形成された鍍金層の主面にランドパターン、電極接続端子及びボールグリッドアレイを一定のパターン形状で準備するパターニング工程と、前記主基板の中央に接着剤を媒介として半導体チップを実装し、前記電極接続端子とワイヤボンディングした後、パッケージボディを形成する工程と、前記ボールグリッドアレイに一定の形態のろうボールを実装する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/60 301

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-295266
  
• 積層形マルチチップ半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-085301   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開昭61-043461