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J-GLOBAL ID：200903044251714463

半導体の作製方法

Inventor： 張 宏勇
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994124171
Publication number (International publication number)：1995307286
Application date： May. 13, 1994
Publication date： Nov. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 結晶性の均一なシリコン膜をレーザー光の照射によって得る。【構成】 水素を含有するアモルファスシリコン中にニッケルを拡散させ、550°C以下の熱アニールをおこなうことによって、アモルファスシリコン中の水素の離脱を促進させる。このようにして、アモルファスシリコン中の水素濃度を十分に低くしたのち、レーザー光もしくはそれと同等な強光を照射することによって、結晶性シリコン膜を得る。

Claim (excerpt)：

水素を含有するアモルファスシリコン膜を形成する第1の工程と、前記アモルファスシリコン膜中に低濃度のニッケルを550°C以下の温度で熱的に拡散せしめることによって、水素の離脱を促進せしめる第2の工程と、前記アモルファスシリコン膜にレーザー光もしくはそれと同等な強光を照射することによって、該アモルファスシリコン膜を結晶化せしめる第3の工程と、を有することを特徴とする半導体の作製方法。

IPC (3)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-083383   Applicant：シャープ株式会社