半導体装置およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994083383
Publication number (International publication number)：1995297122
Application date： Apr. 21, 1994
Publication date： Nov. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】基板全面に渡って、均一で安定した特性の高性能薄膜トランジスタを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】絶縁性表面を有する基板上に、結晶性を有するケイ素膜からなる活性領域が形成されている。この活性領域は、非晶質ケイ素膜に結晶化を助長する触媒元素を蒸着法により導入し、加熱処理と、レーザ光または強光照射とを行うことにより形成されている。

Claim (excerpt)：

絶縁性表面を有する基板上に、結晶性を有するケイ素膜からなる活性領域が形成された半導体装置であって、該活性領域は、非晶質ケイ素膜に結晶化を助長する触媒元素を蒸着法により導入し、該非晶質ケイ素膜に加熱処理と、レーザ光または強光照射とを行うことにより結晶成長させたものからなる半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平2-140915
特開平2-260524
特開昭63-142807

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