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J-GLOBAL ID：200903044387597592
半導体基材の作製方法および半導体基材
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999207662
Publication number (International publication number)：2000100680
Application date： Jul. 22, 1999
Publication date： Apr. 07, 2000
Summary：
【要約】【課題】 多孔質の孔サイズ分布を均質化する。【解決手段】 シリコン基材1表面に、原子ステップ11とテラス12からなる表面を形成した後、それを消失させることなく多孔質化したのち、非多孔質半導体単結晶膜3を形成する。
Claim (excerpt)：
シリコン基材に原子ステップとテラスからなる表面を形成し、該表面を多孔質化したのち、非多孔質膜を形成することを特徴とする半導体基材の作製方法。
IPC (3)：
H01L 21/02
, H01L 21/306
, H01L 27/12
H01L 21/02 B
, H01L 27/12 B
, H01L 21/306 B
