位相シフトマスクとその製造方法、ならびにマスクブランク

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995072884
Publication number (International publication number)：1996272071
Application date： Mar. 30, 1995
Publication date： Oct. 18, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】従来以上の位相シフト効果が得られ、しかも位相シフト露光の条件に係る多大な制約を解消できる位相シフトマスクと、高生産性でしかも容易に製造可能とする製造方法と、そして製造に便利なマスクブランクとを提供する。【構成】透明基板1上に半透明性パターン2′と遮光性パターン3′、あるいは透明基板1上に遮光性パターン3′と半透明性パターン2′とがこれらの順に設けてあり、しかも遮光性パターン3′が少なくとも該半透明性パターン2′のエッジ部を遮蔽しない大きさである位相シフトマスク、また遮光性パターン3′の材料は半透明性パターン2′材料と同一のエッチング種によりエッチング可能であり且つエッチング速度が半透明性パターン2′の場合よりも早い。

Claim (excerpt)：

(イ)透明基板上に半透明性パターンと遮光性パターン、あるいは透明基板上に遮光性パターンと半透明性パターンとがこれらの順に設けてあること、(ロ)該遮光性パターンが少なくとも該半透明性パターンのエッジ部を遮光しない大きさであること、以上、(イ)及び(ロ)を具備することを特徴とする位相シフトマスク。

IPC (2)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (4)：

G03F 1/08 A , G03F 1/08 B , H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 528

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

マスクおよびパタン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-149835 Applicant：日本電信電話株式会社
位相シフトマスク及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-232115 Applicant：ホーヤ株式会社

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