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J-GLOBAL ID：200903044490582862

レーザ光照射プローブ

Inventor： 山崎 岩男 ,  井沢 良弘
Applicant, Patent owner： ヤーマン株式会社
Agent (1)： 牧 哲郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999131891
Publication number (International publication number)：2000316999
Application date： May. 12, 1999
Publication date： Nov. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】トリートメントに応じてエネルギー密度を適切に切換えることができるレーザ光照射プローブを提供する。【解決手段】アジャスタ18のスクリューねじbの側面に通孔を穿ち、これにばねで付勢して球形の先端部を内側に突出するピンdを挿嵌する。また、ヘッド部12のスクリューねじbには、ねじ溝の途中にピンdに嵌合する3つの凹部eを穿つ。これにより、ピンdを3つの凹部eに係止してアジャスタ18の開口端面の高さを3段階に調節する。3つの凹部eは、育毛、美肌、脱毛などのトリートメントに対応して位置決めし、それぞれのトリートメントに最適なアジャスタ18の開口端面の高さを決定する。

Claim (excerpt)：

プローブの前方に、レーザ光を照射する半導体レーザダイオードと、レーザ光を集光して焦点にビームウエストを形成する集光レンズと、開口端面を皮膚に接触して前記集光レンズと皮膚面との間の距離を一定の隔離間隔で離間するアジャスタと、前記アジャスタを前後に移動して前記隔離間隔を段階的に切換える隔離間隔切換手段と、を備え、前記隔離間隔を段階的に切換えて前記ビームウエストを前記アジャスタの開口端面の前後に位置付けることを特徴とするレーザ光照射プローブ。

IPC (3)：

A61N 5/06 ,  A45D 26/00 ,  A45D 44/22

FI (3)：

A61N 5/06 E ,  A45D 26/00 A ,  A45D 44/22 Z

F-Term (9)：

4C082RA01 ,  4C082RC09 ,  4C082RE02 ,  4C082RE23 ,  4C082RE34 ,  4C082RE43 ,  4C082RL02 ,  4C082RL04 ,  4C082RL21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭59-131371
  
• 低出力半導体レーザ治療器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-083913   Applicant：株式会社バイオ・レーザージャパン, 村上多佳子
• 特開平1-064674