薄膜の改質方法及びその実施に使用する装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤巻正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998108239
Publication number (International publication number)：1999307450
Application date： Apr. 17, 1998
Publication date： Nov. 05, 1999
Summary：

【要約】【課題】基板加熱による基板収縮及び基板のそりを防止し、機械的に制御可能な所望の位置への精密なレーザ照射を可能にすると共に、線幅1μm程度の微細パターンの基板への照射を可能にし、更に、基板の収縮及びそりを抑制しつつ基板を500°C以上に加熱することを可能とする薄膜の改質方法及びその実施に使用する装置を提供する、【解決手段】絶縁性ガラス基板101上の半導体シリコン薄膜102をXeClエキシマレーザ103により結晶化する際に、同時又は相前後して基板101に波長が9乃至11μmのCO2レーザ104を照射して基板101と半導体薄膜102との界面近傍の基板101部分を選択的に加熱する。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上の薄膜にエキシマレーザを照射して改質する際に、前記エキシマレーザよりも前記薄膜を透過しやすい光を照射して前記基板と前記薄膜との界面近傍の基板部分を選択的に加熱することを特徴とする薄膜の改質方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 F , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

薄膜半導体装置とその製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-195905 Applicant：株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社
特開昭63-080521

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