プラズマプロセス装置。

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：深見久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999317947
Publication number (International publication number)：2001135627
Application date： Nov. 09, 1999
Publication date： May. 18, 2001
Summary：

【要約】【課題】大面積の基板を均一なプラズマで処理可能で、かつ異常プラズマによる損傷を防止できる、低コストのプラズマプロセス装置を提供する。【解決手段】本発明のプラズマプロセス装置は、チャンバ内部12へプラズマを放射するための誘電体板5と、誘電体板5を支持するための誘電体板支持部材6とを有している。誘電体板支持部材6には、チャンバ内部12に反応ガスを供給するための複数のガス導入孔6aが設けられている。このガス導入孔6aの吹出口は、基板8の表面の対面側に開口され、かつ誘電体板5の外周領域においてその周囲を取囲む位置に配置されている。

Claim (excerpt)：

マイクロ波によりプラズマ状態にされた反応ガスを用いて基板表面にプラズマプロセスを行なうプラズマプロセス装置であって、前記基板を内部に支持可能な処理室と、マイクロ波を伝送するためのマイクロ波伝送手段と、前記基板表面に対面する主表面を有し、かつ前記マイクロ波伝送手段により伝送されたマイクロ波を前記主表面から前記処理室内に放射する複数の誘電体板と、前記処理室に反応ガスを供給するための複数の反応ガス供給路とを備え、複数の前記反応ガス供給路の各々は、前記基板表面の対面側に開口された反応ガスの吹出口を有し、かつ複数の前記吹出口は前記誘電体板の前記主表面端縁より外周領域において前記主表面の周囲を取囲む位置に配置されている、プラズマプロセス装置。

IPC (3)：

H01L 21/31 , C23C 16/511 , H01L 21/3065

FI (3)：

H01L 21/31 C , C23C 16/511 , H01L 21/302 B

F-Term (22)：

4K030EA06 , 4K030FA01 , 4K030KA30 , 4K030KA45 , 4K030KA46 , 4K030LA15 , 4K030LA18 , 5F004AA16 , 5F004BA20 , 5F004BB14 , 5F004BB28 , 5F004BC03 , 5F004BD04 , 5F004DA01 , 5F004DA16 , 5F004DA26 , 5F004DB03 , 5F045AA09 , 5F045CA15 , 5F045DP03 , 5F045EF08 , 5F045EH03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

プラズマ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-053865 Applicant：住友金属工業株式会社
特開平3-094422
シャワープレート、シャワープレート周辺構造及びプロセス装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-097978 Applicant：大見忠弘, 株式会社ウルトラクリーンテクノロジー開発研究所

Show all

Return to Previous Page