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J-GLOBAL ID：200903044655424213

半導体集積回路装置

Inventor： 藤沢 敦
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立北海セミコンダクタ株式会社
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992268290
Publication number (International publication number)：1994120296
Application date： Oct. 07, 1992
Publication date： Apr. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体チップを実装基板に実装する際の接続信頼性を向上させる。【構成】 第一の絶縁フィルム5のリード6を形成した面にインナーリード6aのみが露出するように第二の絶縁フィルム7をラミネートし、半導体チップ2の電極パッド3上に形成したバンプ電極4に上記インナーリード6aをボンティングする。そして、第一の絶縁フィルム5の裏面に形成した開孔8に半田バンプ9を形成し、この半田バンプ9を介して半導体チップ2を基板1に実装する。

Claim (excerpt)：

第一の絶縁フィルムのリード形成面にリードのインナーリードのみが露出するように第二の絶縁フィルムをラミネートし、半導体チップの主面の電極パッド上に形成したバンプ電極に前記インナーリードをボンティングし、前記第一の絶縁フィルムの裏面に形成した開孔に半田バンプを形成して前記リードと前記半田バンプとを電気的に接続し、前記半田バンプを介して前記半導体チップを基板上に実装したことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭51-046874
  
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-109334   Applicant：新光電気工業株式会社