半導体基板の作製方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山下穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995045441
Publication number (International publication number)：1995302889
Application date： Mar. 06, 1995
Publication date： Nov. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】光透過性基板等の絶縁性基板上に、結晶性が単結晶ウェハー並に優れたSiあるいは化合物半導体単結晶層を得るうえで、生産性、均一性、制御性、コストの面において卓越した半導体基板の作製方法を提案する。【構成】多孔質層12を有する第1の基体11の前記多孔質層12上に非多孔質単結晶半導体層13を形成する工程(a),(b)、前記非多孔質単結晶半導体層13を第2の基体(14,15)と貼り合わせる工程(c)、前記貼り合わせて構成された基体を前記多孔質層12において分離する工程(d)、前記分離された第2の基体(14,15,13)上に配された多孔質層12を除去する工程(e)、及び前記分離された第1の基体11を構成する多孔質層12を除去する工程を有することを特徴とする半導体基板の作製方法。

Claim (excerpt)：

多孔質層を有する第1の基体の前記多孔質層上に非多孔質単結晶半導体層を形成する工程、前記非多孔質単結晶半導体層を第2の基体と貼り合わせる工程、前記貼り合わせて構成された基体を前記多孔質層において分離する工程、前記分離された第2の基体上に配された多孔質層を除去する工程、及び前記分離された第1の基体を構成する多孔質層を除去する工程を有することを特徴とする半導体基板の作製方法。

IPC (6)：

H01L 27/12 , H01L 21/02 , H01L 21/20 , H01L 21/762 , H01L 23/12 , H01L 23/15

FI (3)：

H01L 21/76 D , H01L 23/12 D , H01L 23/14 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体基体及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-046302 Applicant：キヤノン株式会社
半導体素子用ウエハ及び半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-106248 Applicant：住友電気工業株式会社
特開平4-034961

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