液晶表示装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木晴敏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993261555
Publication number (International publication number)：1994265940
Application date： Sep. 24, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】画素スイッチング素子として用いられるTFTのリーク電流を抑制し、閾値電圧を安定化させ、ゲート容量カップリングのばらつきを抑え、チャネル長の短縮化を図る。【構成】スイッチング素子は、複数個の薄膜トランジスタを直列接続し且つ各ゲート電極9を互いに電気接続したマルチゲート構造を有する。各薄膜トランジスタは、少なくともソース領域3又はドレイン領域5とチャネル領域2との間にソース領域又はドレイン領域と同一導電型の低濃度不純物領域6を備えたLDD構造を有する。場合によっては複数個の低濃度不純物領域のうち少なくとも1個は、他と異なる長さ又は濃度とし、リーク電流を抑制しつつ十分なオン電流を確保する。

Claim (excerpt)：

マトリクス状に配列した画素電極とこの画素電極を駆動するスイッチング素子とを備えた一方の基板と、対向電極を有し前記一方の基板に対向配置された他方の基板と、両方の基板に保持された液晶層とを備えた液晶表示装置であって、前記スイッチング素子は、複数個の薄膜トランジスタを直列接続し且つ各ゲート電極を互いに電気接続したマルチゲート構造を有し、各薄膜トランジスタは、少なくともソース領域又はドレイン領域とチャネル領域の間にソース領域又はドレイン領域と同一導電型の低濃度不純物領域を備えたLDD構造を有する事を特徴とする液晶表示装置。

IPC (3)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/133 550 , H01L 29/784

FI (2)：

H01L 29/78 311 G , H01L 29/78 311 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平1-218070
特開平2-247619
特開昭63-064363

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