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J-GLOBAL ID：200903044885893956

プラズマ処理装置

Inventor：
山岸 信久

About 山岸 信久


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995010089
Publication number (International publication number)：1996203873
Application date： Jan. 25, 1995
Publication date： Aug. 09, 1996
Summary：
【要約】【目的】 特に大口径ウェーハのエッチングまたは成膜処理時の基本特性、加工特性、低ダメージ性に優れ、かつ、スパイラルコイルおよびキャパシタなどから成る高周波電源系の長期信頼性が向上した、誘導結合型プラズマ処理装置を提供すること。【構成】 プラズマ処理されるものが内部に収容されるチャンバー18と、チャンバー18の外部に配置されるスパイラルコイル28と、スパイラルコイル18に近接して略平行に配置され、チャンバー18の一部である誘電体窓部22であって、磁石部材24が一体化された誘電体窓部22と、を有するプラズマ処理装置。磁石部材24は、電子の反跳作用を有する多極磁場を発生するように、誘電体窓部22に一体化されている。磁石部材24が、チャンバー内部で発生するプラズマ内部の誘導電界または電子密度の疎密分布を補償するように、誘電体窓部22に一体化してある。
Claim (excerpt)：
プラズマ処理されるものが内部に収容されるチャンバーと、前記チャンバーの外部に配置されるスパイラルコイルと、前記スパイラルコイルに近接して略平行に配置され、前記チャンバーの一部である誘電体窓部であって、磁石部材が一体化された誘電体窓部と、を有するプラズマ処理装置。
IPC (6)：
H01L 21/3065 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 341 ,  H05H 1/46
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • マイクロ波プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-208774   Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立エンジニアリングサービス
  • プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-250254   Applicant：富士通株式会社
  • 特開平2-235332
Cited by examiner (3)
  • マイクロ波プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-208774   Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立エンジニアリングサービス
  • プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-250254   Applicant：富士通株式会社
  • 特開平2-235332

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