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J-GLOBAL ID:200903044941528930

パターン形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 則近 憲佑
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994001807
Publication number (International publication number):1995181687
Application date: Jan. 13, 1994
Publication date: Jul. 21, 1995
Summary:
【要約】【目的】 高解像度であり且つドライエッチング耐性に優れたパターンを安定して形成する。【構成】 基板上に、芳香族化合物を含有する感光性層に形成する。前記感光性層に、前記芳香族化合物の吸収スペクトルにおける、長波長側から第3番目の吸収帯の極大波長より短く、且つ第4番目の吸収帯の極大波長より長い波長の光をパターン露光し、該感光性層において光化学反応を生じさせる。続いて、露光後の感光性層を必要に応じて熱処理した後、現像処理し、該感光性層の露光部を選択的に除去または残存させる。
Claim (excerpt):
基板上に、芳香族化合物を含有する感光性層を形成する工程と、前記感光性層に、前記芳香族化合物の吸収スペクトルにおける、長波長側から第3番目の吸収帯の極大波長より短く、且つ第4番目の吸収帯の極大波長より長い波長の光をパターン露光し、該感光性層において光化学反応を生じさせる工程と、露光後の感光性層を現像処理する工程とを具備するパターン形成方法。
IPC (6):
G03F 7/20 521 ,  G03F 7/20 501 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/30 ,  H01L 21/027
FI (2):
H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 569 F
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (6)
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