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J-GLOBAL ID:200903044958822335
電気二重層キャパシタ用炭素材料の原料組成物及びその製造方法並びに電気二重層キャパシタ及びその製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (1):
長谷川 芳樹 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001399803
Publication number (International publication number):2003051430
Application date: Dec. 28, 2001
Publication date: Feb. 21, 2003
Summary:
【要約】【課題】 電気二重層キャパシタの静電容量及びエネルギー密度を確実に向上させることができる電気二重層キャパシタ用炭素材料の原料組成物及びその製造方法並びに高い静電容量及びエネルギー密度を有する電気二重層キャパシタ及びその製造方法の提供。【解決手段】 黒鉛類似の層状結晶構造を有する微結晶炭素を含有しており、賦活処理を施されることにより電気二重層キャパシタ用炭素材料となる電気二重層キャパシタ用炭素材料の原料組成物10であって、ASTMD-409-71規定の粉砕強度指数HGIが50以上であり、X線回折法により求められる微結晶炭素の層間距離d002が0.343nm以下であり、かつ、X線回折法により求められる微結晶炭素の結晶子の大きさLc002が3.0nm以下であることを特徴とする。
Claim (excerpt):
黒鉛類似の層状結晶構造を有する微結晶炭素を含有しており、賦活処理を施されることにより電気二重層キャパシタ用炭素材料となる前記電気二重層キャパシタ用炭素材料の原料組成物であって、ASTMD-409-71規定の粉砕強度指数HGIが50以上であり、X線回折法により求められる前記微結晶炭素の層間距離d002が0.343nm以下であり、かつ、X線回折法により求められる前記微結晶炭素の結晶子の大きさLc002が3.0nm以下であること、を特徴とする電気二重層キャパシタ用炭素材料の原料組成物。
IPC (4):
H01G 9/058
, C01B 31/02 101
, C10B 55/02
, H01G 9/00
FI (4):
C01B 31/02 101 B
, C10B 55/02
, H01G 9/00 301 A
, H01G 9/24 Z
F-Term (6):
4G046CA00
, 4G046CB02
, 4G046CB08
, 4G046CB09
, 4G046CC02
, 4G046CC03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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