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J-GLOBAL ID：200903044959155510
単結晶ダイヤモンド膜の形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996107968
Publication number (International publication number)：1997295892
Application date： Apr. 26, 1996
Publication date： Nov. 18, 1997
Summary：
【要約】【課題】 大面積の単結晶ダイヤモンド膜を低コストで得ることができると共に、合成途中でダイヤモンド膜が基板から剥離されることがなく、高い再現性で気相合成することができる単結晶ダイヤモンド膜の形成方法を提供する。【解決手段】 単結晶ダイヤモンド膜は、(111)結晶面を有する白金若しくは白金を50原子%以上含有する白金合金からなる基板、又はこれらの単結晶膜を有する基板上に1×107乃至5×108cm-2の核形成密度で気相合成することにより得られる。また、ダイヤモンドの連続膜が形成されるまでの原料ガス中の炭素濃度を0.1モル%を超え1モル%以下として気相合成することが好ましい。
Claim (excerpt)：
(111)結晶面を有する白金又は白金を50原子%以上含有する白金合金からなる基板上に、1×107乃至5×108cm-2の核形成密度で気相合成によりダイヤモンド膜を形成することを特徴とする単結晶ダイヤモンド膜の形成方法。
IPC (6)：
C30B 29/04
, C30B 25/18
, H01L 21/205
, H01L 33/00
, H03H 3/08
, H03H 9/25
C30B 29/04 Q
, C30B 25/18
, H01L 21/205
, H01L 33/00 A
, H03H 3/08
, H03H 9/25 C
