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J-GLOBAL ID:200903044992456216
管内面の表面処理方法及び装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
原崎 正
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998247820
Publication number (International publication number):2000064040
Application date: Aug. 17, 1998
Publication date: Feb. 29, 2000
Summary:
【要約】【課題】 少なくとも内壁が導電性である管形状物内にマイクロ波あるいは高周波プラズマを生成し、管形状物に繰り返し負電位のパルスバイアスを印加することによって管内壁にイオンを照射あるいは注入することによって表面処理を施し、様々な特性を改善することにある。【解決手段】 真空容器1内に少なくとも内壁が導電性である管形状物2を配置し、真空容器1内に所望のイオン発生原料ガスを導入すると同時に減圧状態に維持し、マイクロ波あるいは高周波放電によって管2内にプラズマを生成し、管軸方向に磁力線が形成されるよう磁場形成手段10を配置し、管内壁に負電位のパルス電圧を繰り返し印加することによって、管内壁にプラズマ中の正イオンを引き込み、照射する。
Claim (excerpt):
真空容器内に少なくとも内壁が導電性である管形状物を配置し、真空容器内に所望のイオン発生原料ガスを導入すると同時に減圧状態に維持し、マイクロ波あるいは高周波放電によって管内にプラズマを生成し、管軸方向に磁力線が形成されるよう磁場形成手段を配置し、管内壁に負電位のパルス電圧を繰り返し印加することによって、管内壁にプラズマ中の正イオンを引き込み、照射することを特徴とする管内面の表面処理方法。
IPC (2):
FI (2):
C23C 14/48 Z
, H05H 1/46 A
F-Term (6):
4K029AA02
, 4K029AA27
, 4K029BD00
, 4K029CA10
, 4K029DA04
, 4K029DE00
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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導波管およびカーボン系薄膜生成装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-321950
Applicant:株式会社東芝
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大気圧プラズマ反応の利用方法及びその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-218035
Applicant:株式会社きもと, キモトテツクインコーポレイテツド, 岡崎幸子, 小駒益弘
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