半導体記憶装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992191120
Publication number (International publication number)：1994037280
Application date： Jul. 17, 1992
Publication date： Feb. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】十分な蓄積容量を確保しつつ周辺回路部のコンタクトホールにおける基板との接続が容易に行える構造の半導体記憶装置を提供すること。【構成】ダイナミックRAMの蓄積容量部がワード線形成後に形成されたスタック型半導体記憶装置において、蓄積容量部の上部電極18がTiN膜18aとW膜18bの2層構造になっており、周辺回路部ではこの2層が配線となり下層配線又は基板10に接続されており、かつTiN膜18aは周辺回路部の平坦部のみに形成され、W膜18bは周辺回路部の平坦部及びコンタクトホール内に形成されていることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

スタック型の半導体記憶装置において、蓄積容量部の上部電極が周辺回路部では配線層として使用されていることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4)：

H01L 27/108 , H01L 21/90 , H01L 27/04 , H01L 21/28 301

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平4-130664
特開昭63-278363
半導体記憶装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-285874 Applicant：松下電器産業株式会社

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