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J-GLOBAL ID：200903045042946329

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 黒土 健三 ,  寺尾 元康 ,  高浦 則克 ,  藤崎 芳久 ,  小埜 和夫 ,  笹子 佳孝
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： ポレール特許業務法人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008089776
Publication number (International publication number)：2009246085
Application date： Mar. 31, 2008
Publication date： Oct. 22, 2009
Summary：

【課題】固体電解質メモリには書き換えを繰り返すことで固体電解質中のイオンA量及び電極の形状が変化してしまうため、安定した書き換えが困難であるという課題がある。【解決手段】固体電解質層の抵抗変化によって情報を記憶または回路接続を変化させる半導体装置において、固体電解質層を例えばCu-Ta-S、それに隣接または近接するイオン供給層をCu-Ta-Oの組成にして、イオン供給層から供給されたイオンが固体電解質層内に導電パスを形成することにより、抵抗の高低により情報が記憶されるようにし、電気パルスを印加することで抵抗を変化させることができる。上記イオン供給層は例えばCu-Ta-O=1:2:6の組成比を持つ結晶であり、安定して書換え動作を行うことができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基盤上に設けられた電気抵抗の変化を起こすことによって情報を記録する記録層と、 前記記録層の前記基盤側の一主面上に設けられた第1の電極と、 前記記録層の前記一主面に対向する他主面上に設けられた第2の電極とを備え、 前記記録層は、前記第1の電極に接する側に配置された第1層と前記第2の電極に接する側に配置された第2層との少なくとも2層より成り、 前記第1層は、Ag、Cu、Au、Znからなる群より選ばれた少なくとも1種類の元素と、Ta、W、Mo、Gdからなる群より選ばれた少なくとも1種類の元素と、酸素とを含んでなる結晶相であり、 前記第2層は、Ag、Cu、Au、Znからなる群より選ばれた少なくとも1種類の元素とS、Se、Teからなる群より選ばれた少なくとも1種類の元素を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (3)：

H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

F-Term (10)：

5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083GA21 ,  5F083JA55 ,  5F083JA60 ,  5F083LA21 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• コンダクタンスの制御が可能な電子素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-265344   Applicant：科学技術振興事業団, 理化学研究所
• 記憶素子及び記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-175248   Applicant：ソニー株式会社