記憶素子及び記憶装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：角田芳末 , 磯山弘信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005175248
Publication number (International publication number)：2006351780
Application date： Jun. 15, 2005
Publication date： Dec. 28, 2006
Summary：

【課題】記憶層の耐圧を充分に確保することを可能にすると共に、初期化動作に必要な電圧値を低く抑えることが可能な構成の記憶素子を提供する。【解決手段】第1の電極と第2の電極との間に、記憶層4が挟まれて構成され、この記憶層4が、絶縁性或いは半絶縁性であり、記憶層4に接して金属元素を含有する層が設けられ、第1の電極と第2の電極間に電圧を印加することにより、記憶層4の抵抗値が変化する構成であり、記憶層4が厚さ方向において不連続に金属元素41が含有されている記憶素子を構成する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

第1の電極と第2の電極との間に、記憶層が挟まれて構成され、前記記憶層が、絶縁性或いは半絶縁性であり、前記記憶層と、金属元素を含有する層とが、積層され、前記第1の電極と前記第2の電極間に電圧を印加することにより、前記記憶層の抵抗値が変化する記憶素子であって、前記記憶層は、厚さ方向において不連続に、前記金属元素が含有されていることを特徴とする記憶素子。

IPC (1)：

H01L 27/10

FI (1)：

H01L27/10 451

F-Term (8)：

5F083FZ10 , 5F083GA05 , 5F083GA09 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

プログラマブルマイクロエレクトロニックデバイスおよびその形成およびプログラミング方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-599033 Applicant：アリゾナボードオブリージェンツ

Cited by examiner (4)

半導体記憶素子及びこれを用いた半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-137651 Applicant：ソニー株式会社
抵抗変化機能体、メモリおよびその製造方法並びに半導体装置および電子機器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-067656 Applicant：シャープ株式会社
半導体集積回路装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-348647 Applicant：株式会社ルネサステクノロジ

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